國(guó)產(chǎn)SRAM芯片
XRAM是一款基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）
專(zhuān)利技術(shù)而成的新型X型隨機(jī)存儲(chǔ)器，可用于替換傳統(tǒng)DRAM和SRAM，
相對(duì)比DRAM產(chǎn)品在數(shù)據(jù)讀取速率約快10倍以上，
延時(shí)速度10ns,可提供千兆級(jí)容量存儲(chǔ)，
可隨時(shí)訪(fǎng)問(wèn)速度不需要刷新機(jī)制，在性能上接近于SRAM產(chǎn)品，
并提供SRAM接口便于應(yīng)用設(shè)計(jì)。
XRAM是一款基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）
專(zhuān)利技術(shù)而成的新型X型隨機(jī)存儲(chǔ)器，可用于替換傳統(tǒng)DRAM和SRAM，
相對(duì)比DRAM產(chǎn)品在數(shù)據(jù)讀取速率約快10倍以上，
延時(shí)速度10ns,可提供千兆級(jí)容量存儲(chǔ)，
可隨時(shí)訪(fǎng)問(wèn)速度不需要刷新機(jī)制，在性能上接近于SRAM產(chǎn)品，
并提供SRAM接口便于應(yīng)用設(shè)計(jì)。
XM7A系列產(chǎn)品采用同步SRAM接口并結(jié)合獨(dú)有的XRAM免刷新專(zhuān)利技術(shù)，提供LQFP100和BGA165兩種封裝，容量從72Mb到9Mb，工作電壓范圍在2.5~3.3V。在大容量、高速性能和高可靠性方面完全可以匹敵同類(lèi)
