
ISSI用0.25微米工藝技術(shù)生產(chǎn)最新進(jìn)的pSRAM產(chǎn)品,產(chǎn)品都是由代工服務(wù)商代為生產(chǎn),以下產(chǎn)品為PSRAM存儲(chǔ)芯片,屬于偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片,內(nèi)部為DRAM核心外加SRAM接口,產(chǎn)品的容量范圍為1/4/8/16/32/64Mb,常用容量為32/64Mb,電壓范圍在1.8V/3.3V/5V.,我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價(jià)比高且實(shí)用的產(chǎn)品??杉嫒萏鎿QISSI/CYPRESS/Lyontek/Renesas等品牌同類別PSRAM產(chǎn)品。| 型號(hào) | 容量 | 位寬 | 電壓(V) | 速度(ns) | 封裝(Pins) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS66WVE4M16ALL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | TFBGA(48) | 聯(lián)系我們 |
| IS66WVC4M16ALL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯(lián)系我們 |
| IS66/67WVC4M16EALL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯(lián)系我們 |
| IS66/67WVC4M16ECLL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯(lián)系我們 |
| IS66WVD4M16ALL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯(lián)系我們 |
| IS66/67WVE4M16EALL/EBLL/ECLL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V/ 2.7-3.6V | 70 | TFBGA(48) | 聯(lián)系我們 |
| IS66/67WVE4M16TALL/TBLL/TCLL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V/ 2.7-3.6V | 70 | TFBGA(48) | 聯(lián)系我們 |
| IS66/67WVC2M16EALL | 32Mb | 2Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯(lián)系我們 |
| IS66/67WVC2M16ECLL | 32Mb | 2Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯(lián)系我們 |
| IS66/67WVE2M16EALL/EBLL/ECLL | 32Mb | 2Mx16 | 1.7-1.95V/ 2.7-3.6V | 70 | TFBGA(48) | 聯(lián)系我們 |
| IS66/67WV1M16EBLL | 16Mb | 1Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | mBGA(48) | 聯(lián)系我們 |
| IS66/67WVC1M16EALL | 16Mb | 1Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯(lián)系我們 |
| IS66WVD1M16ALL | 16Mb | 1Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 聯(lián)系我們 |
| IS66/67WVE1M16EALL/EBLL/ECLL | 16Mb | 1Mx16 | 1.7-1.95V/ 2.7-3.6V | 70 | TFBGA(48) | 聯(lián)系我們 |
| IS66/67WV51216EBLL | 8Mb | 512Kx16 | 1.7-1.95V | 70 | TSOP2(44),mBGA(48) | 聯(lián)系我們 |
| IS66/67WVE51216EALL/EBLL/ECLL | 8Mb | 512Kx16 | 1.7-1.95V/ 2.7-3.6V | 70 | TFBGA(48) | 聯(lián)系我們 |