EMI504NL16VM-55IT可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗異步SRAM
來源: 日期:2022-01-17 14:21:26
ISSI型號IS61WV25616EDBLL-10TLI是一種高速低功耗、容量4Mbit的
SRAM存儲器,位寬256*12,采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)相結(jié)合,可生產(chǎn)出高性能和低功耗的器件。
介紹一款可替代
IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗異步SRAM的國產(chǎn)SRAM芯片EMI504NL16VM-55IT。
國產(chǎn)SRAM芯片廠家偉凌創(chuàng)芯EMI504NL16VM-55IT由EMI先進的全CMOS工藝技術(shù)制造。支持工業(yè)溫度范圍和芯片級封裝,以使用戶靈活地進行系統(tǒng)設(shè)計。并支持低數(shù)據(jù)保持電壓,以低數(shù)據(jù)保持電流實現(xiàn)電池備份操作。
EMI504NL16VM-55IT的制程技術(shù)采用90nm Full CMOS,位寬為256Kx16位,其電源電壓范圍2.7V~3.6V,低數(shù)據(jù)保持電壓:1.5V(最小值),具備三態(tài)輸出和TTL兼容,封裝采用標準的44TSOP2,具備工業(yè)操作溫度。EMI代理英尚微電子支持提供樣品測試及產(chǎn)品技術(shù)支持指導。
EMI是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注SRAM,PSRAM等存儲、顯示驅(qū)動,接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計、生產(chǎn)及銷售。公司擁有國際知名設(shè)計專家及工作經(jīng)驗豐富工程師研發(fā)團隊,與國內(nèi)知名前后道生產(chǎn)合作伙伴緊密合作。為行業(yè)客戶提供高品質(zhì)、低成本,供貨持續(xù)穩(wěn)定的自主知識產(chǎn)權(quán)的集成電路產(chǎn)品,產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語音、應用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。
關(guān)鍵詞:SRAM,IS61WV25616EDBLL-10TLI
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