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RRAM和3D NAND性能介紹
在存儲器性能和存儲容量方面來說，RRAM和3D NAND都代表著一個巨大的飛躍。和今天的平面NAND閃存相比，Crossbar的RRAM確保了20倍的寫性能和10倍的耐久性。Minassian說，像3DNAND一樣，RRAM存儲器進行芯
2018-03-26
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兩種新型存儲器技術誰更勝一籌？
三星宣布其正在批量生產(chǎn)三維（3D）垂直NAND（V-NAND）芯片；接著創(chuàng)業(yè)公司Crossbar表示已經(jīng)創(chuàng)建了一個電阻隨機存取存儲器（RRAM）芯片的原型。
2018-03-26
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除了需要應用處理器的高級信息娛樂設備之外，MCU完全可以滿足大多數(shù)可穿戴設備的需求。此外，最新MCU可在單個芯片中集成大部分功能。這對于降低可穿戴設備的整體尺寸和BOM成本都有至關重
2018-03-23
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DDR內(nèi)存就快被淘汰了？
這一年來有關國內(nèi)公司進軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息鬧得滿城風雨，紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢達基礎在DDR3內(nèi)存上已經(jīng)有了新突破，小批量生產(chǎn)了DDR3內(nèi)存，下半年會接著推出更主流的DDR4內(nèi)存芯片
2018-03-23
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2018年全球晶圓廠設備支出分析
近日國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會發(fā)布《全球晶圓廠預測報告》，報告顯示，2019年全球晶圓廠設備支出將增加5%，連續(xù)第四年呈現(xiàn)大幅增長。除非原有計劃大幅變更，中國大陸將是2018、2019年全球晶圓廠
2018-03-22
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可穿戴電子產(chǎn)品選擇MCU的標準
可穿戴設備是指人體可穿戴的微型電子產(chǎn)品，通常與現(xiàn)有配飾(如手表)集成或者取而代之。在物聯(lián)網(wǎng)技術的支持下，該細分市場正迅猛發(fā)展，因此對于更小型化、更直觀的設備的需求也在快速提
2018-03-20
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